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参数目录41738
> PSMN4R3-80ES,127 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
型号:
PSMN4R3-80ES,127
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN4R3-80ES,127 PDF
标准包装
50
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.3 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
111nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
8161pF @ 40V
功率 - 最大
306W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件
其它名称
568-6708
查看PSMN4R3-80ES,127代理商
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